HMC455LP3(E)是一款高输出的IP3 GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1⁄2瓦特MMIC放大器，在1.7至2.5 GHz的频率下作业。 该放大器仅运用最小数量的外部元件，供给13 dB的增益，在PAE为56%时供给+28 dBm的饱满功率，运用单个+5 Vdc电压电源。 因为具有+42 dBm的高输出IP3，再结合1.4:1的低VS

  C3D04065A为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技能针对高功能电力电子使用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电体系；储能体系；太阳能（PV）逆变器；和消费电子科技类产品。。C3D04065A优点• 用单极整流器替代双极• 基本上没开关损耗• 更高的功率• 下降散热器要求• 没有热失控的

  CGH40180PP-AMP氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测验板

  Wolfspeed 的 CGH40180PP 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40180PP；从 28 伏电压轨运转；供给通用的；适用于各种射频和微波使用的宽带解决方案。GaN HEMT 供给高功率；高增益和宽带宽才能；使 CGH40180PP 成为线性和紧缩放大器电路的抱负挑选。该晶体管选用 4 引脚法兰封装。CG

  CGHV40180P氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入，可在 DC-2.0 GHz 范围内供给最佳的瞬时宽带功能。GaN与硅或砷化镓比较具有优胜的功能；包括更高的击穿电压；更高的饱满电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管比较，GaN HEMT 还供给更高的功率密度和更宽

  D2201UK是TT Electronics镀金多用途硅 DMOS RF FET。D2201UK特征简化的放大器规划适用于宽带使用低温RSS简略的偏置电路低噪声高增益 – 最小 16 dB 镀金多用途硅DMOS射频场效应管100W – 28V – 500MHz单端包裹：DP装备：单端作业电压：20V功率输出: 5W最低功率：50取得：13测验频率 ：1GHz

  CMPA801B025F-AMP氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)评价板

  Wolfspeed 的 CMPA801B025 是一种根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓比较具有优胜的功能；包括更高的击穿电压；更高的饱满电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管比较，GaN HEMT 还供给更高的功率密度和更宽的带宽。该 MMIC 包括两级无功匹配

  MAAM-011299 是一个射频放大器组装在SOT-89 塑料封装。 该放大器供给17.5 dB 的超平整增益，一起偏置为 5 或 8伏特。 该放大器供给超卓的线性度。 供给高增益、低噪声和低失线 Ω基础设施使用。MAAM-011299 特征单级，单端5 V、118 mA 或 8 V、130 mA 操作17.5 dB 平整增益低噪声低失真

  MACOM MAAM-011238咱们规划、制作和支撑分布式放大器，为各种商业和航空航天和国防使用供给简略易用的解决方案。MACOM 的分布式放大器系列掩盖从 DC 到 80 GHz 的频率，并供给裸芯片和气腔封装。这一些器材为各种高功能使用供给了宽带功能和易用性的完美结合。 MAAM-011238 特征增益：15 dB @ 6 V，30 GHzP1dB：+1

  MACOM MAAP-011199慢慢地加强和扩展其 MMIC 功率放大器产品组合，经过使用最先进的代工技能和专有的内部工艺来完成用户严苛的技能应战。MACOM 与当今测验和丈量、卫星通信、航空航天和国防、公共安全无线电、有线宽带以及工业科学和医疗使用领域的领导者协作，以裸芯片和高功能封装供给职业抢先的高功能 MMIC 解决方案。MAAP-011199特征饱满

  MACP-011036是 MACOM 宽带耦合器选用外表贴装封装。它供给低损耗、杰出的阻隔、杰出的输入/输出匹配和超卓的回波损耗匹配。MACP-011036特征16分贝耦合比外表贴装供给卷带包装100 - 700 MHz 的高阻隔度低插入损耗超卓的温度稳定性契合 RoHS 和无铅260°C 回流兼容75 欧姆 是最小频率(MHz) 5最大频率(MHz)